skip to main content
Idioma:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters
Busca Simples
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: tipo de recurso: Artigos remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
0
0
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0

Gellar, Ralph

Transactions of the American Mathematical Society, 1972-01, Vol.173, p.341-352 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
0–20 μm aggregate typology based on the nature of aggregative organic materials in a cultivated silty topsoil
0–20 μm aggregate typology based on the nature of aggregative organic materials in a cultivated silty topsoil
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0–20 μm aggregate typology based on the nature of aggregative organic materials in a cultivated silty topsoil

Watteau, F. ; Villemin, G. ; Bartoli, F. ; Schwartz, C. ; Morel, J.L.

Soil biology & biochemistry, 2012-03, Vol.46, p.103-114 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's
0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's

CHAO, P. C ; TIBERIO, R. C ; DUH, K.-H. G ; SMITH, P. M ; BALLINGALL, J. M ; LESTER, L. F ; LEE, B. R ; JABRA, A ; GIFFORD, G. G

IEEE electron device letters, 1987, Vol.8 (10), p.489-491 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
0.13-/0.15-micron production reticle process window qualification procedure for 200-mm manufacturing fab
0.13-/0.15-micron production reticle process window qualification procedure for 200-mm manufacturing fab
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.13-/0.15-micron production reticle process window qualification procedure for 200-mm manufacturing fab

Chang, Zih-Wen ; Wu, Chen-Ming ; Mo, Mabel ; Shieh, Chin-Chung ; Cheng, Ds ; Chen, Chun-Chien ; Yang, Richard Y ; Randall, David W ; Yu, Wen-Cheng

Proceedings of SPIE, 2004-04, Vol.SPIE-5446, p.200-208

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
0.13[micro]m shift
0.13[micro]m shift
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.13[micro]m shift

Ball, Richard

Electronics weekly, 2002-01, p.8-8

Metropolis International Group Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.2% Betamethasone Sodium Phosphate: A Multicenter, Randomized, Double-Masked Study to Compare Its Ocular Safety, Tolerability, and Efficacy to Vehicle in Cataract Surgery Subjects
0.2% Betamethasone Sodium Phosphate: A Multicenter, Randomized, Double-Masked Study to Compare Its Ocular Safety, Tolerability, and Efficacy to Vehicle in Cataract Surgery Subjects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2% Betamethasone Sodium Phosphate: A Multicenter, Randomized, Double-Masked Study to Compare Its Ocular Safety, Tolerability, and Efficacy to Vehicle in Cataract Surgery Subjects

Hosseini, Kamran ; Gollamudi, Subba ; Reiser, Harvey ; Walters, Tom ; Lindstrom, Richard L

Clinical ophthalmology (Auckland, N.Z.), 2023-08, Vol.17, p.2219-2230 [Periódico revisado por pares]

New Zealand: Dove Medical Press Limited

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation
0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2-[Formula Omitted] AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition [Formula Omitted] Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation
0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2- \mu AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D.

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation
0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2- mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al 2 O 3 Passivation

Xu, Dong ; Chu, Kanin ; Diaz, Jose ; Zhu, Wenhua ; Roy, Richard ; Pleasant, Louis Mt ; Nichols, Kirby ; Chao, Pane-Chane ; Xu, Min ; Ye, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation
0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2-μm AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation

DONG XU ; KANIN CHU ; DIAZ, Jose ; WENHUA ZHU ; ROY, Richard ; PLEASANT, Louis Mt ; NICHOLS, Kirby ; CHAO, Pane-Chane ; MIN XU ; YE, Peide D

IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.744-746 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (4.134.379)
  2. Revistas revisadas por pares (3.317.519)
  3. Disponível na Biblioteca (2.320)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Produções Acadêmicas  (3)
  2. Outros  (1)
  3. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1959  (97.128)
  2. 1959Até1975  (154.062)
  3. 1976Até1992  (397.986)
  4. 1993Até2010  (1.492.637)
  5. Após 2010  (1.998.437)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (4.012.758)
  2. Japonês  (329.761)
  3. Português  (42.691)
  4. Alemão  (39.155)
  5. Espanhol  (37.585)
  6. Francês  (32.689)
  7. Norueguês  (2.538)
  8. Italiano  (1.988)
  9. Turco  (1.898)
  10. Russo  (1.581)
  11. Holandês  (1.281)
  12. Polonês  (1.156)
  13. Chinês  (1.024)
  14. Tcheco  (1.022)
  15. Africâner  (971)
  16. Coreano  (838)
  17. Catalão  (831)
  18. Croatian  (683)
  19. Eslovaco  (555)
  20. Esloveno  (512)
  21. Indeterminado  (21)
  22. Mais opções open sub menu

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Garratt, R
  2. Voegels, R
  3. Ward, R
  4. Butugan, O
  5. Oliva, G

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Life Sciences & Biomedicine
  3. Humans
  4. Social Sciences
  5. Physical Sciences

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.