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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers
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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers

Manios, E. ; Karanasos, V. ; Niarchos, D. ; Panagiotopoulos, I.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272, p.2169-2170 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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3
0-1 GHz waveguide 10.6 micron GaAs electrooptic modulator
0-1 GHz waveguide 10.6 micron GaAs electrooptic modulator
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0-1 GHz waveguide 10.6 micron GaAs electrooptic modulator

Brown, Robertt

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

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4
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
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0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties

Haneen Abass, Khalid ; Haidar Obaid, Noor

Journal of physics. Conference series, 2019-09, Vol.1294 (2), p.22005 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
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0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs

Luo, Zhengqian ; Zhong, Min ; Ruan, Qiujun ; Huang, Yizhong ; Guo, Changlei ; Xu, Huiying ; Che, Kaijun ; Xu, Bin ; Cai, Zhiping

IEEE photonics journal, 2016-04, Vol.8 (2), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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6
0.15- mu m T-gate In sub(0.52)Al sub(0.48)As/In sub(0.53)Ga sub(0.47)As InP-based HEMT with [functionof] sub(max) of 390 GHz
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0.15- mu m T-gate In sub(0.52)Al sub(0.48)As/In sub(0.53)Ga sub(0.47)As InP-based HEMT with [functionof] sub(max) of 390 GHz

Zhong, Ying-Hui ; Zhang, Yu-Ming ; Zhang, Yi-Men ; Wang, Xian-Tai ; Lu, Hong-Liang ; Liu, Xin-Yu ; Jin, Zhi

Chinese physics B, 2013-12, Vol.22 (12), p.128503-1-128503-5 [Periódico revisado por pares]

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7
(0,2) dynamics from four dimensions
(0,2) dynamics from four dimensions
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(0,2) dynamics from four dimensions

Kutasov, David ; Lin, Jennifer

Physical review. D, Particles, fields, gravitation, and cosmology, 2014-04, Vol.89 (8), Article 085025

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8
A 0–1 law for the massive Gaussian free field
A 0–1 law for the massive Gaussian free field
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A 0–1 law for the massive Gaussian free field

Rodriguez, Pierre-François

Probability theory and related fields, 2017-12, Vol.169 (3-4), p.901-930 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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9
A 0.11pJ/bit read energy embedded NanoBridge non-volatile memory and its integration in a 28 nm 32 bit RISC-V microcontroller units
A 0.11pJ/bit read energy embedded NanoBridge non-volatile memory and its integration in a 28 nm 32 bit RISC-V microcontroller units
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A 0.11pJ/bit read energy embedded NanoBridge non-volatile memory and its integration in a 28 nm 32 bit RISC-V microcontroller units

Bai, Xu ; Nebashi, Ryusuke ; Miyamura, Makoto ; Funahashi, Kazunori ; Okamoto, Koichiro ; Numata, Hideaki ; Iguchi, Noriyuki ; Sakamoto, Toshitsugu ; Tada, Munehiro

Japanese Journal of Applied Physics, 2024-02, Vol.63 (2), p.2 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese Journal of Applied Physics

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A 0.13-[micro]m CMOS serializer for data and trigger optical links in particle physics experiments
A 0.13-[micro]m CMOS serializer for data and trigger optical links in particle physics experiments
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A 0.13-[micro]m CMOS serializer for data and trigger optical links in particle physics experiments

Cervelli, G ; Marchioro, A ; Moreira, P

IEEE transactions on nuclear science, 2004-06, Vol.51 (3), p.836 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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