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0 + 1 > 1: How Adding Noninformative Sound Improves Performance on a Visual Task
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0 + 1 > 1: How Adding Noninformative Sound Improves Performance on a Visual Task

Kim, Robyn ; Peters, Megan A. K. ; Shams, Ladan

Psychological science, 2012-01, Vol.23 (1), p.6-12 [Periódico revisado por pares]

Los Angeles, CA: SAGE Publications

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2
0.04-mm2 103-dB-A Dynamic Range Second-Order VCO-Based Audio \Sigma\Delta ADC in 0.13- \mu m CMOS
0.04-mm2 103-dB-A Dynamic Range Second-Order VCO-Based Audio \Sigma\Delta ADC in 0.13- \mu m CMOS
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0.04-mm2 103-dB-A Dynamic Range Second-Order VCO-Based Audio \Sigma\Delta ADC in 0.13- \mu m CMOS

Cardes, Fernando ; Gutierrez, Eric ; Quintero, Andres ; Buffa, Cesare ; Wiesbauer, Andreas ; Hernandez, Luis

IEEE journal of solid-state circuits, 2018-06, Vol.53 (6), p.1731-1742 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
0.1 mu m contact metallization with SiH/sub 2/F/sub 2/-reduced CVD W
0.1 mu m contact metallization with SiH/sub 2/F/sub 2/-reduced CVD W
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0.1 mu m contact metallization with SiH/sub 2/F/sub 2/-reduced CVD W

Yokoyama, N. ; Kumura, S. ; Yoshimura, T. ; Goto, H. ; Kobayashi, N. ; Homma, Y. ; Takeda, E.

1992 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 1992, p.68-69

IEEE

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4
0.1-/spl mu/m CMOS technology for high-speed logic and system LSIs with SiO/SiN/poly-Si/W gate-system
0.1-/spl mu/m CMOS technology for high-speed logic and system LSIs with SiO/SiN/poly-Si/W gate-system
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-/spl mu/m CMOS technology for high-speed logic and system LSIs with SiO/SiN/poly-Si/W gate-system

Onai, T. ; Tsujikawa, S. ; Uchino, T. ; Tsuchiya, R. ; Ohnishi, K. ; Fukuda, H. ; Hisamoto, D. ; Yamamoto, N. ; Yugami, J. ; Ichinose, K. ; Ootsuka, F.

International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, p.937-939

IEEE

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5
0.1-/spl mu/m GaAs MESFET's fabricated using ion-implantation and photolithography
0.1-/spl mu/m GaAs MESFET's fabricated using ion-implantation and photolithography
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-/spl mu/m GaAs MESFET's fabricated using ion-implantation and photolithography

Yamane, Y. ; Nishimura, K. ; Inoue, K. ; Tokumitsu, M.

15th Annual GaAs IC Symposium, 1993, p.185-188

IEEE

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6
10 años de investigaciones económicas en la Red Mercosur [1998-2008]
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10 años de investigaciones económicas en la Red Mercosur [1998-2008]

Red de Investigaciones Económicas del Mercosur

Montevideo, Uruguay Red Mercosur 2008

Localização: IRI - Inst. Rel. Internacionais    (337.18 D568 )(Acessar)

7
13th IEEE VLSI Test Symposium April 30-May 3, 1995, Princeton, New Jersey : proceedings
13th IEEE VLSI Test Symposium April 30-May 3, 1995, Princeton, New Jersey : proceedings
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

13th IEEE VLSI Test Symposium April 30-May 3, 1995, Princeton, New Jersey : proceedings

IEEE VLSI Test Symposium (13th 1995 Princeton, N.J.) IEEE Computer Society Test Technology Technical Committee; Institution of Electrical and Electronics Engineers Philadelphia Section

Los Alamitos, Calif. IEEE Computer Society Press c1995

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (621.3.049.771.15 Ie2v 13. )(Acessar)

8
A 0-1 LP Model for the Integration and Consolidation of Air Cargo Shipments
A 0-1 LP Model for the Integration and Consolidation of Air Cargo Shipments
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0-1 LP Model for the Integration and Consolidation of Air Cargo Shipments

Leung, Lawrence C ; Van Hui, Yer ; Wang, Yong ; Chen, Gang

Operations research, 2009-03, Vol.57 (2), p.402-412 [Periódico revisado por pares]

Hanover, MD: INFORMS

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9
A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R-RC Network
A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R-RC Network
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R-RC Network

Wei, Yuchen ; Yang, Shiheng ; Liu, Yueduo ; Bao, Rongxin ; Zhu, Zihao ; Lin, Jiahui ; Zhang, Zehao ; Chen, Yong ; Yin, Jun ; Mak, Pui-In ; Li, Qiang

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2023-08, Vol.31 (8), p.1248-1252 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
A 0.0058mm2 7.0 ENOB 24MS/s 17fJ/conv. threshold configuring SAR ADC with source voltage shifting and interpolation technique
A 0.0058mm2 7.0 ENOB 24MS/s 17fJ/conv. threshold configuring SAR ADC with source voltage shifting and interpolation technique
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A 0.0058mm2 7.0 ENOB 24MS/s 17fJ/conv. threshold configuring SAR ADC with source voltage shifting and interpolation technique

Yoshioka, Kentaro ; Shikata, Akira ; Sekimoto, Ryota ; Kuroda, Tadahiro ; Ishikuro, Hiroki

2013 Symposium on VLSI Circuits, 2013, p.C266-C267

IEEE

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Deste Autor:

  1. Institute for Latin American Integration
  2. Braga, M
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  5. Zambonato, G

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