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SAMURAI: An accurate method for modelling and simulating non-stationary Random Telegraph Noise in SRAMs
SAMURAI: An accurate method for modelling and simulating non-stationary Random Telegraph Noise in SRAMs
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SAMURAI: An accurate method for modelling and simulating non-stationary Random Telegraph Noise in SRAMs

Aadithya, K V ; Demir, A ; Venugopalan, S ; Roychowdhury, J

2011 Design, Automation & Test in Europe, 2011, p.1-6

IEEE

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Accurate Prediction of Random Telegraph Noise Effects in SRAMs and DRAMs
Accurate Prediction of Random Telegraph Noise Effects in SRAMs and DRAMs
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Accurate Prediction of Random Telegraph Noise Effects in SRAMs and DRAMs

Aadithya, K. V. ; Demir, A. ; Venugopalan, S. ; Roychowdhury, J.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2013-01, Vol.32 (1), p.73-86 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
MUSTARD: a coupled, stochastic/deterministic, discrete/continuous technique for predicting the impact of random telegraph noise on SRAMs and DRAMs
MUSTARD: a coupled, stochastic/deterministic, discrete/continuous technique for predicting the impact of random telegraph noise on SRAMs and DRAMs
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MUSTARD: a coupled, stochastic/deterministic, discrete/continuous technique for predicting the impact of random telegraph noise on SRAMs and DRAMs

Aadithya, Karthik ; Venogopalan, Sriramkumar ; Demir, Alper ; Roychowdhury, Jaijeet

2011 48th ACM/EDAC/IEEE Design Automation Conference (DAC), 2011, p.292-297

New York, NY, USA: ACM

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Current transient spectroscopy on AlInAs/GaAlInAs heterojunction field effect transistors
Current transient spectroscopy on AlInAs/GaAlInAs heterojunction field effect transistors
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Current transient spectroscopy on AlInAs/GaAlInAs heterojunction field effect transistors

Ababou, S. ; Ducroquet, F. ; Guillot, G. ; Berthier, Ph ; Giraudet, L. ; Praseuth, J. P.

ESSDERC '93: 23rd European solid State Device Research Conference, 1993, p.451-454

IEEE

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Correlation between theory and data for mechanisms leading to dielectric breakdown
Correlation between theory and data for mechanisms leading to dielectric breakdown
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Correlation between theory and data for mechanisms leading to dielectric breakdown

Abadeer, W.W. ; Vollertsen, R.-P. ; Bolam, R.J. ; DiMaria, D.J. ; Cartier, E.

Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium, 1994, p.43-44

IEEE

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KMC Simulation of the Electroforming, Set and Reset Processes in Redox-Based Resistive Switching Devices
KMC Simulation of the Electroforming, Set and Reset Processes in Redox-Based Resistive Switching Devices
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

KMC Simulation of the Electroforming, Set and Reset Processes in Redox-Based Resistive Switching Devices

Abbaspour, Elhameh ; Menzel, Stephan ; Hardtdegen, Alexander ; Hoffmann-Eifert, Susanne ; Jungemann, Christoph

IEEE transactions on nanotechnology, 2018-11, Vol.17 (6), p.1181-1188 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Exciton quenching at PEDOT:PSS anode in polymer blue-light-emitting diodes
Exciton quenching at PEDOT:PSS anode in polymer blue-light-emitting diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exciton quenching at PEDOT:PSS anode in polymer blue-light-emitting diodes

Abbaszadeh, D. ; Wetzelaer, G. A. H. ; Nicolai, H. T. ; Blom, P. W. M.

Journal of applied physics, 2014-12, Vol.116 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Study of the spectral response of CZT multiple-electrode detectors
Study of the spectral response of CZT multiple-electrode detectors
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Study of the spectral response of CZT multiple-electrode detectors

Abbene, L. ; Del Sordo, S. ; Fauci, F. ; Gerardi, G. ; La Manna, A. ; Raso, G. ; Cola, A. ; Perillo, E. ; Raulo, A. ; Gostilo, V. ; Stumbo, S.

2007 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, 2007, Vol.2, p.1525-1530

IEEE

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Study for the electrical quality degradation of N-channel VDMOSFET transistor induced by electrical stress
Study for the electrical quality degradation of N-channel VDMOSFET transistor induced by electrical stress
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Study for the electrical quality degradation of N-channel VDMOSFET transistor induced by electrical stress

Abboud, N. ; Salame, C. ; Khoury, A. ; Foucaran, A. ; Hoffmann, A. ; Mialhe, P.

2009 International Conference on Advances in Computational Tools for Engineering Applications, 2009, p.142-145

IEEE

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Enhancing electron transport of 7-bis(diphenylphosphoryl)-9,9′-spirobifluorene through polarity reduction of polar covalent bonds using organic molecular additives
Enhancing electron transport of 7-bis(diphenylphosphoryl)-9,9′-spirobifluorene through polarity reduction of polar covalent bonds using organic molecular additives
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Enhancing electron transport of 7-bis(diphenylphosphoryl)-9,9′-spirobifluorene through polarity reduction of polar covalent bonds using organic molecular additives

Abd Nasir, F.H. ; Woon, K.L. ; Wong, W.S. ; Chanlek, N. ; Nakajima, H. ; Songsiriritthigul, P.

Synthetic metals, 2023-12, Vol.300, p.117488, Article 117488 [Periódico revisado por pares]

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  1. Trindade, N  (1)
  2. Kalita, J  (1)
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