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0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask
0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask
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0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask

Tsuji, K. ; Suemitsu, K. ; Mukai, T. ; Nagahara, K. ; Masubuchi, H. ; Utsumi, H. ; Kikuta, K.

International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.36.4.1-36.4.4

IEEE

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2
0.12 /spl mu/m raised gate/source/drain epitaxial channel NMOS technology
0.12 /spl mu/m raised gate/source/drain epitaxial channel NMOS technology
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0.12 /spl mu/m raised gate/source/drain epitaxial channel NMOS technology

Ohguro, T. ; Naruse, H. ; Sugaya, H. ; Kimijima, H. ; Morifuji, E. ; Yoshitomi, T. ; Morimoto, T. ; Momose, H.S. ; Katsumata, Y. ; Iwai, H.

International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217), 1998, p.927-930

IEEE

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3
0.12μm P-MOSFETs with High-K and Metal Gate Fabricated in a Si Process Line on 200mm GeOI Wafers
0.12μm P-MOSFETs with High-K and Metal Gate Fabricated in a Si Process Line on 200mm GeOI Wafers
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.12μm P-MOSFETs with High-K and Metal Gate Fabricated in a Si Process Line on 200mm GeOI Wafers

Le Royer, C. ; Clavelier, L. ; Tabone, C. ; Deguet, C. ; Sanchez, L. ; Hartmann, J.-M. ; Roure, M.-C. ; Grampeix, H. ; Deleonibus, S.

ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.458-461

IEEE

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4
0.18 /spl mu/m metal gate fully-depleted SOI MOSFETs for advanced CMOS applications
0.18 /spl mu/m metal gate fully-depleted SOI MOSFETs for advanced CMOS applications
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 /spl mu/m metal gate fully-depleted SOI MOSFETs for advanced CMOS applications

Chen, J. ; Maiti, B. ; Connelly, D. ; Mendicino, M. ; Huang, F. ; Adetutu, O. ; Yu, Y. ; Weddington, D. ; Wu, W. ; Candelaria, J. ; Dow, D. ; Tobin, P. ; Mogab, J.

1999 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.99CH36325), 1999, p.25-26

IEEE

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5
0.23 mm thick high permeability grain oriented Si-steel
0.23 mm thick high permeability grain oriented Si-steel
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.23 mm thick high permeability grain oriented Si-steel

Nakashima, S. ; Takashima, K. ; Kuroki, K. ; Harada, M.

IEEE transactions on magnetics, 1982-11, Vol.18 (6), p.1511-1513

IEEE

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6
0.35μm CMOS Technology with Chemical Mechanical Polishing for Three Metallization Levels Planarization
0.35μm CMOS Technology with Chemical Mechanical Polishing for Three Metallization Levels Planarization
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.35μm CMOS Technology with Chemical Mechanical Polishing for Three Metallization Levels Planarization

Lerme, M. ; Arena, C. ; Deleonibus, S. ; Demolliens, O. ; Fayolle, M. ; Gobil, Y. ; Guegan, G. ; Heitzmann, M. ; Laurens, M. ; Martin, F. ; Morand, Y. ; Molle, P. ; Vinet, F.

ESSDERC '94: 24th European Solid State Device Research Conference, 1994, p.121-124

IEEE

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7
0.5 hour 1 M HCl extraction data for the Windmill Islands marine sediments
0.5 hour 1 M HCl extraction data for the Windmill Islands marine sediments
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0.5 hour 1 M HCl extraction data for the Windmill Islands marine sediments

Snape, I., Riddle, M.J., Gore, D., Stark, J.S., Scouller, R. and Stark, S.C ; SNAPE, IAN ; RIDDLE, MARTIN J ; GORE, DAMIAN ; STARK, JONATHAN SEAN ; SCOULLER, REBECCA ; STARK, SCOTT CHARLES

Australian Antarctic Data Centre 2004

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8
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications

Menou, N. ; Wang, X.P. ; Kaczer, B. ; Polspoel, W. ; Popovici, M. ; Opsomer, K. ; Pawlak, M.A. ; Knaepen, W. ; Detavernier, C. ; Blomberg, T. ; Pierreux, D. ; Swerts, J. ; Maes, J.W. ; Favia, P. ; Bender, H. ; Brijs, B. ; Vandervorst, W. ; Van Elshocht, S. ; Wouters, D.J. ; Biesemans, S. ; Kittl, J.A.

2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008, p.1-4

IEEE

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9
0.5-/spl mu/m-pitch copper-dual-damascene metallization using organic SOG (k=2.9) for 0.18-/spl mu/m CMOS applications
0.5-/spl mu/m-pitch copper-dual-damascene metallization using organic SOG (k=2.9) for 0.18-/spl mu/m CMOS applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5-/spl mu/m-pitch copper-dual-damascene metallization using organic SOG (k=2.9) for 0.18-/spl mu/m CMOS applications

Fukuda, T. ; Ohshima, T. ; Aoki, H. ; Maruyama, H. ; Miyazaki, H. ; Konishi, N. ; Fukada, S. ; Yunogami, T. ; Hotta, S. ; Maekawa, A. ; Hinode, K. ; Nojiri, K. ; Tokunaga, T. ; Kobayashi, N.

International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, p.619-622

IEEE

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10
0.52 V-mm ITO-based Mach-Zehnder Modulator in Silicon Photonics
0.52 V-mm ITO-based Mach-Zehnder Modulator in Silicon Photonics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.52 V-mm ITO-based Mach-Zehnder Modulator in Silicon Photonics

Amin, Rubab ; Maiti, Rishi ; Carfano, Caitlin ; Ma, Zhizhen ; Tahersima, Mohammad H ; Lilach, Yigal ; Ratnayake, Dilan ; Dalir, Hamed ; Sorger, Volker J

arXiv.org, 2018-08

Ithaca: Cornell University Library, arXiv.org

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Deste Autor:

  1. Tremiliosi Filho, G
  2. Oliveira Neto, A
  3. Raboczkay, T
  4. Barbosa, A
  5. Silva, J

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Tin
  3. Physical Sciences
  4. Technology
  5. Materials Science

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