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Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect
Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect
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Switching Stability Analysis of Paralleled RC-IGBTs With Snapback Effect

Diaz Reigosa, P. ; Rahimo, M. ; Minamisawa, R. ; Iannuzzo, F.

IEEE transactions on electron devices, 2021-07, Vol.68 (7), p.3429-3434 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
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Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area

Antoniou, M. ; Lophitis, N. ; Udrea, F. ; Rahimo, M. ; Vemulapati, U. ; Corvasce, C. ; Badstuebner, U.

IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.177-180 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Deep p-Ring Trench Termination: An Innovative and Cost-Effective Way to Reduce Silicon Area

Antoniou, M ; Lophitis, N ; Udrea, F ; Rahimo, M ; Vemulapati, U ; Corvasce, C ; Badstuebner, U

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 2019

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4
The current status and future prospects of SiC high voltage technology
The current status and future prospects of SiC high voltage technology
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The current status and future prospects of SiC high voltage technology

Mihaila, A. ; Knoll, L. ; Bianda, E. ; Bellini, M. ; Wirths, S. ; Alfieri, G. ; Kranz, L. ; Canales, F. ; Rahimo, M.

2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2018, p.19.2.1-19.2.4

IEEE

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5
Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability
Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optimal Gate Commutated Thyristor Design for Bi-Mode Gate Commutated Thyristors Underpinning High, Temperature Independent, Current Controllability

Lophitis, N. ; Antoniou, M. ; Vemulapati, U. ; Vobecky, J. ; Badstuebner, U. ; Wikstroem, T. ; Stiasny, T. ; Rahimo, M. ; Udrea, F.

IEEE electron device letters, 2018-09, Vol.39 (9), p.1342-1345 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
Silicon based devices for demanding high power applications
Silicon based devices for demanding high power applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Silicon based devices for demanding high power applications

Kopta, A. ; Vobecky, J. ; Rahimo, M. ; Wikstrom, T. ; Vemulapati, U. ; Papadopoulos, C. ; Corvasce, C. ; Andenna, M. ; Dugal, F. ; Fischer, F. ; Hartmann, S.

2018 International Power Electronics Conference (IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia), 2018, p.3596-3602

IEEJ Industry Application Society

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7
SiC: Technology Enabler for MV DC/DC Galvanically Insulated Modular Converters
SiC: Technology Enabler for MV DC/DC Galvanically Insulated Modular Converters
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

SiC: Technology Enabler for MV DC/DC Galvanically Insulated Modular Converters

Alvarez, S. ; Bellini, M. ; Vemulapati, U. ; Canales, F. ; Rahimo, M.

2018 International Power Electronics Conference (IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia), 2018, p.4009-4015

IEEJ Industry Application Society

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8
Optimal gate commutated thyristor design for bi-mode gate commutated thyristors underpinning high, temperature independent, current controllability
Optimal gate commutated thyristor design for bi-mode gate commutated thyristors underpinning high, temperature independent, current controllability
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optimal gate commutated thyristor design for bi-mode gate commutated thyristors underpinning high, temperature independent, current controllability

Lophitis, N ; Antoniou, M ; Vemulapati, U ; Vobecky, J ; Badstuebner, U ; Wikstroem, T ; Stiasny, T ; Rahimo, M ; Udrea, F

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 2018

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9
Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off
Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off

Geissmann, Silvan ; Michielis, L. De ; Corvasce, Ch ; Rahimo, M. ; Andenna, M.

Microelectronics and reliability, 2017-09, Vol.76-77, p.495-499 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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10
Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit
Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit

Reigosa, P.D. ; Iannuzzo, F. ; Rahimo, M. ; Blaabjerg, F.

Microelectronics and reliability, 2017-09, Vol.76-77, p.485-489 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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