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0.29-/spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies for 1G-bit DRAMs with open/folded-bit-line layout and selective growth technique
0.29-/spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies for 1G-bit DRAMs with open/folded-bit-line layout and selective growth technique
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0.29-/spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies for 1G-bit DRAMs with open/folded-bit-line layout and selective growth technique

Noguchi, M. ; Ozaki, T. ; Aoki, M. ; Hamamoto, T. ; Habu, M. ; Kato, Y. ; Takigami, Y. ; Shibata, T. ; Nakasugi, T. ; Niiyama, H. ; Tokano, K. ; Saito, Y. ; Hoshi, T. ; Watanabe, S.

1995 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, 1995, p.137-138

IEEE

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2
0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K
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0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2016-01, Vol.28 (2), p.25701 [Periódico revisado por pares]

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3
0.43 THz emission from high-T sub(c) superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high-T sub(c) superconducting emitters optimized at 77 K
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.43 THz emission from high-T sub(c) superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2016-01, Vol.28 (2) [Periódico revisado por pares]

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4
0.43 THz emission from high-T(c) superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high-T(c) superconducting emitters optimized at 77 K
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.43 THz emission from high-T(c) superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2016-01, Vol.28 (2), p.025701-025701 [Periódico revisado por pares]

England

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5
0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2015-12, Vol.28 (2) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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6
0.5- mu m 2 M-transistor BiPNMOS channelless gate array
0.5- mu m 2 M-transistor BiPNMOS channelless gate array
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5- mu m 2 M-transistor BiPNMOS channelless gate array

Hara, H. ; Sakurai, T. ; Noda, M. ; Nagamatsu, T. ; Seta, K. ; Momose, H. ; Niitsu, Y. ; Miyakawa, H. ; Watanabe, Y.

IEEE journal of solid-state circuits, 1991-11, Vol.26 (11), p.1615-1620 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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7
0.5-MU-M 3.3-V BICMOS STANDARD CELLS WITH 32-KILOBYTE CACHE AND 10-PORT REGISTER FILE
0.5-MU-M 3.3-V BICMOS STANDARD CELLS WITH 32-KILOBYTE CACHE AND 10-PORT REGISTER FILE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5-MU-M 3.3-V BICMOS STANDARD CELLS WITH 32-KILOBYTE CACHE AND 10-PORT REGISTER FILE

HARA, H ; SAKURAI, T ; NAGAMATSU, T ; SETA, K ; MOMOSE, H ; NIITSU, Y ; MIYAKAWA, H ; MATSUDA, K ; WATANABE, Y ; SANO, F ; CHIBA, A

IEEE journal of solid-state circuits, 1992-11, Vol.27 (11), p.1579-1584 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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8
0.5- mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache and ten-port register file
0.5- mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache and ten-port register file
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5- mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache and ten-port register file

Hara, H. ; Sakurai, T. ; Nagamatsu, T. ; Seta, K. ; Momose, H. ; Niitsu, Y. ; Miyakawa, H. ; Matsuda, K. ; Watanabe, Y. ; Sano, F. ; Chiba, A.

IEEE journal of solid-state circuits, 1992-11, Vol.27 (11), p.1579-1584 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
0.5-mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache andten-port register file
0.5-mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache andten-port register file
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5-mu m 3.3-V BiCMOS standard cells with 32-kilobyte cache andten-port register file

Hara, H ; Sakurai, T ; Nagamatsu, T ; Seta, K ; Momose, H ; Niitsu, Y ; Miyakawa, H ; Matsuda, K ; Watanabe, Y ; Sano, F ; Chiba, A

IEEE journal of solid-state circuits, 1992-11, Vol.27 (11), p.1579-1584 [Periódico revisado por pares]

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10
0.5 mu m BiCMOS standard-cell macros including 0.5 W 3 ns register file and 0.6 W 5 ns 32 kB cache
0.5 mu m BiCMOS standard-cell macros including 0.5 W 3 ns register file and 0.6 W 5 ns 32 kB cache
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 mu m BiCMOS standard-cell macros including 0.5 W 3 ns register file and 0.6 W 5 ns 32 kB cache

Kara, H. ; Sakurai, T. ; Nagamatsu, T. ; Kobayashi, S. ; Seta, K. ; Momose, H. ; Niitsu, Y. ; Miyakawa, H. ; Kuroda, T. ; Matsuda, K. ; Watanabe, Y. ; Sano, F. ; Chiba, A.

1992 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers, 1992, p.46-47

IEEE

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Data de Publicação 

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  2. 1960Até1975  (3.357)
  3. 1976Até1991  (16.351)
  4. 1992Até2008  (39.585)
  5. Após 2008  (17.134)
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  2. Japonês  (30.204)
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  1. Watanabe, K
  2. Watanabe, I
  3. Watanabe, S
  4. Kitajima, E
  5. Ogawa, K

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Life Sciences & Biomedicine
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