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From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin AlN buffer layer
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From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin AlN buffer layer

Songmuang, R. ; Landré, O. ; Daudin, B.

Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (25), p.251902-251902-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Ultraviolet Photodetector Based on GaN/AlN Quantum Disks in a Single Nanowire
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Ultraviolet Photodetector Based on GaN/AlN Quantum Disks in a Single Nanowire

Rigutti, L ; Tchernycheva, M ; De Luna Bugallo, A ; Jacopin, G ; Julien, F. H ; Zagonel, L. F ; March, K ; Stephan, O ; Kociak, M ; Songmuang, R

Nano letters, 2010-08, Vol.10 (8), p.2939-2943 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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3
Determination of the Optimal Shell Thickness for Self-Catalyzed GaAs/AlGaAs Core–Shell Nanowires on Silicon
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Artigo
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Determination of the Optimal Shell Thickness for Self-Catalyzed GaAs/AlGaAs Core–Shell Nanowires on Silicon

Songmuang, R ; Giang, Le Thuy Thanh ; Bleuse, J ; Den Hertog, M ; Niquet, Y. M ; Dang, Le Si ; Mariette, H

Nano letters, 2016-06, Vol.16 (6), p.3426-3433 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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4
Room-Temperature Photodetection Dynamics of Single GaN Nanowires
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Artigo
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Room-Temperature Photodetection Dynamics of Single GaN Nanowires

González-Posada, F ; Songmuang, R ; Den Hertog, M ; Monroy, E

Nano letters, 2012-01, Vol.12 (1), p.172-176 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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5
Quantum Transport in GaN/AlN Double-Barrier Heterostructure Nanowires
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Artigo
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Quantum Transport in GaN/AlN Double-Barrier Heterostructure Nanowires

Songmuang, R ; Katsaros, G ; Monroy, E ; Spathis, P ; Bougerol, C ; Mongillo, M ; De Franceschi, S

Nano letters, 2010-09, Vol.10 (9), p.3545-3550 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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6
Correlation of Polarity and Crystal Structure with Optoelectronic and Transport Properties of GaN/AlN/GaN Nanowire Sensors
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Artigo
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Correlation of Polarity and Crystal Structure with Optoelectronic and Transport Properties of GaN/AlN/GaN Nanowire Sensors

den Hertog, M. I ; González-Posada, F ; Songmuang, R ; Rouviere, J. L ; Fournier, T ; Fernandez, B ; Monroy, E

Nano letters, 2012-11, Vol.12 (11), p.5691-5696 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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7
Identification of III–N nanowire growth kinetics via a marker technique
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Identification of III–N nanowire growth kinetics via a marker technique

Songmuang, R ; Ben, T ; Daudin, B ; González, D ; Monroy, E

Nanotechnology, 2010-07, Vol.21 (29), p.295605-295605 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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8
Rolled-up micro- and nanotubes from single-material thin films
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Rolled-up micro- and nanotubes from single-material thin films

Songmuang, R. ; Deneke, Ch ; Schmidt, O. G.

Applied physics letters, 2006-11, Vol.89 (22), p.223109-223109-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Light emission and wave guiding of quantum dots in a tube
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Light emission and wave guiding of quantum dots in a tube

Mendach, S. ; Songmuang, R. ; Kiravittaya, S. ; Rastelli, A. ; Benyoucef, M. ; Schmidt, O. G.

Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (11), p.111120-111120-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Visualizing highly localized luminescence in GaN/AlN heterostructures in nanowires
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Artigo
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Visualizing highly localized luminescence in GaN/AlN heterostructures in nanowires

Zagonel, L F ; Rigutti, L ; Tchernycheva, M ; Jacopin, G ; Songmuang, R ; Kociak, M

Nanotechnology, 2012-11, Vol.23 (45), p.455205-455205 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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