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In-flight observations of multiple-bit upset in DRAMs
In-flight observations of multiple-bit upset in DRAMs
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In-flight observations of multiple-bit upset in DRAMs

Swift, G.M. ; Guertin, S.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2386-2391 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Dynamic testing of Xilinx Virtex-II field programmable gate array (FPGA) input/output blocks (IOBs)
Dynamic testing of Xilinx Virtex-II field programmable gate array (FPGA) input/output blocks (IOBs)
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Dynamic testing of Xilinx Virtex-II field programmable gate array (FPGA) input/output blocks (IOBs)

Swift, G.M. ; Rezgui, S. ; George, J. ; Carmichael, C. ; Napier, M. ; Maksymowicz, J. ; Moore, J. ; Lesea, A. ; Koga, R. ; Wrobel, T.F.

IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3469-3474 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Single-event upset in commercial silicon-on-insulator PowerPC microprocessors
Single-event upset in commercial silicon-on-insulator PowerPC microprocessors
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Single-event upset in commercial silicon-on-insulator PowerPC microprocessors

Irom, F. ; Farmanesh, F.F. ; Johnston, A.H. ; Swift, G.M. ; Millward, D.G.

IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.3148-3155 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Characterization of Upset-Induced Degradation of Error-Mitigated High-Speed I/O's Using Fault Injection on SRAM Based FPGAs
Characterization of Upset-Induced Degradation of Error-Mitigated High-Speed I/O's Using Fault Injection on SRAM Based FPGAs
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Characterization of Upset-Induced Degradation of Error-Mitigated High-Speed I/O's Using Fault Injection on SRAM Based FPGAs

Rezgui, S. ; Swift, G.M. ; Lesea, A.

IEEE transactions on nuclear science, 2006-08, Vol.53 (4), p.2076-2083 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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5
Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells
Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells
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Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells

Edmonds, L.D. ; Guertin, S.M. ; Scheick, L.Z. ; Nguyen, D. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.1925-1930 [Periódico revisado por pares]

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A model for single-event transients in comparators
A model for single-event transients in comparators
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A model for single-event transients in comparators

Johnston, A.H. ; Swift, G.M. ; Miyahira, T.F. ; Edmonds, L.D.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2624-2633 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Single-event upset in the PowerPC750 microprocessor
Single-event upset in the PowerPC750 microprocessor
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Single-event upset in the PowerPC750 microprocessor

Swift, G.M. ; Fannanesh, F.F. ; Guertin, S.M. ; Irom, F. ; Millward, D.G.

IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.1822-1827 [Periódico revisado por pares]

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8
Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs
Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs
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Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs

Scheick, L.Z. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.2810-2817 [Periódico revisado por pares]

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Single-event upset in evolving commercial silicon-on-insulator microprocessor technologies
Single-event upset in evolving commercial silicon-on-insulator microprocessor technologies
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Single-event upset in evolving commercial silicon-on-insulator microprocessor technologies

Irom, F. ; Farmanesh, F.H. ; Swift, G.M. ; Johnston, A.H. ; Yoder, G.L.

IEEE transactions on nuclear science, 2003-12, Vol.50 (6), p.2107-2112 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Analysis of radiation effects on individual DRAM cells
Analysis of radiation effects on individual DRAM cells
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Analysis of radiation effects on individual DRAM cells

Scheick, L.Z. ; Guertin, S.M. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2534-2538 [Periódico revisado por pares]

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