skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 next page
Mostrar Somente
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Effect of Dose History on SEGR Properties of Power MOSFETS
Effect of Dose History on SEGR Properties of Power MOSFETS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of Dose History on SEGR Properties of Power MOSFETS

Scheick, L.Z. ; Selva, L.E.

IEEE transactions on nuclear science, 2007-12, Vol.54 (6), p.2568-2575 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells
Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ion-induced stuck bits in 1T/1C SDRAM cells

Edmonds, L.D. ; Guertin, S.M. ; Scheick, L.Z. ; Nguyen, D. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.1925-1930 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs
Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dose and microdose measurement based on threshold shifts in MOSFET arrays in commercial SRAMs

Scheick, L.Z. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.2810-2817 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Microdosimetry of the ultraviolet erasable programmable read-only memory experiment on the microelectronics and photonics test bed: recent advances in small-volume analysis
Microdosimetry of the ultraviolet erasable programmable read-only memory experiment on the microelectronics and photonics test bed: recent advances in small-volume analysis
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Microdosimetry of the ultraviolet erasable programmable read-only memory experiment on the microelectronics and photonics test bed: recent advances in small-volume analysis

Scheick, L.Z. ; Blake, B. ; McNulty, P.J.

IEEE transactions on nuclear science, 2005-12, Vol.52 (6), p.2300-2306 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Simplified Readout of UVPROM Dosimeters for Spacecraft Applications
Simplified Readout of UVPROM Dosimeters for Spacecraft Applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simplified Readout of UVPROM Dosimeters for Spacecraft Applications

McNulty, P.J. ; Rajaram, N. ; Poole, K.F. ; Freeman, K.R. ; Dyar, J.P. ; Scheick, L.Z. ; Alkhafazi, M. ; Randall, M.G.

IEEE transactions on nuclear science, 2006-08, Vol.53 (4), p.1859-1862 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Analysis of radiation effects on individual DRAM cells
Analysis of radiation effects on individual DRAM cells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of radiation effects on individual DRAM cells

Scheick, L.Z. ; Guertin, S.M. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2534-2538 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Charge removal from FGMOS floating gates
Charge removal from FGMOS floating gates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge removal from FGMOS floating gates

McNulty, P.J. ; Sushan Yow ; Scheick, L.Z. ; Abdel-Kader, W.G.

IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.3016-3021 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
First failure predictions for EPROMs of the type flown on the MPTB satellite
First failure predictions for EPROMs of the type flown on the MPTB satellite
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

First failure predictions for EPROMs of the type flown on the MPTB satellite

McNulty, P.J. ; Scheick, L.Z. ; Roth, D.R. ; Davis, M.G. ; Tortora, M.R.S.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2237-2243 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Measurement of the effective sensitive volume of FAMOS cells of an ultraviolet erasable programmable read-only memory
Measurement of the effective sensitive volume of FAMOS cells of an ultraviolet erasable programmable read-only memory
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Measurement of the effective sensitive volume of FAMOS cells of an ultraviolet erasable programmable read-only memory

Scheick, L.Z. ; McNulty, P.J. ; Roth, D.R.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2428-2434 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Physical Mechanisms of Ion-Induced Stuck Bits in the Hyundai 16M[Formula Omitted]4 SDRAM
Physical Mechanisms of Ion-Induced Stuck Bits in the Hyundai 16M[Formula Omitted]4 SDRAM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Physical Mechanisms of Ion-Induced Stuck Bits in the Hyundai 16M[Formula Omitted]4 SDRAM

Edmonds, L.D ; Scheick, L.Z

IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3265 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (14)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.