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0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
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0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.-G ; Lee, Y.-W ; Lee, B

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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2
A 0.001 Per Cent Hall-Effect Probe
A 0.001 Per Cent Hall-Effect Probe
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A 0.001 Per Cent Hall-Effect Probe

Mulady, James R.

IEEE transactions on instrumentation and measurement, 1964-12, Vol.IM-13 (4), p.343-347 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
A 0.0014 mm2 150 nW CMOS Temperature Sensor with Nonlinearity Characterization and Calibration for the −60 to +40 °C Measurement Range
A 0.0014 mm2 150 nW CMOS Temperature Sensor with Nonlinearity Characterization and Calibration for the −60 to +40 °C Measurement Range
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A 0.0014 mm2 150 nW CMOS Temperature Sensor with Nonlinearity Characterization and Calibration for the −60 to +40 °C Measurement Range

Yang, Wendi ; Jiang, Hanjun ; Wang, Zhihua

Sensors (Basel, Switzerland), 2019-04, Vol.19 (8), p.1777 [Periódico revisado por pares]

MDPI

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4
A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor
A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor
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A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor

Ituero, Pablo ; López-Vallejo, Marisa ; López-Barrio, Carlos

Sensors (Basel, Switzerland), 2013-09, Vol.13 (9), p.12648-12662 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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A 0.0018 mm frequency-to-digital-converter-based CMOS smart temperature sensor
A 0.0018 mm frequency-to-digital-converter-based CMOS smart temperature sensor
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A 0.0018 mm frequency-to-digital-converter-based CMOS smart temperature sensor

Lee, Hokyu ; Kim, Kisoo ; Jung, Sangdon ; Song, Janghoon ; Kim, Jong-Kook ; Kim, Chulwoo

Analog integrated circuits and signal processing, 2010-08, Vol.64 (2), p.153-157 [Periódico revisado por pares]

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6
A 0.001mm2 100µW on-chip temperature sensor with ±1.95 °C (3σ) Inaccuracy in 32nm SOI CMOS
A 0.001mm2 100µW on-chip temperature sensor with ±1.95 °C (3σ) Inaccuracy in 32nm SOI CMOS
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A 0.001mm2 100µW on-chip temperature sensor with ±1.95 °C (3σ) Inaccuracy in 32nm SOI CMOS

Chowdhury, G. R. ; Hassibi, A.

2012 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2012, p.1999-2002

IEEE

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7
A 0.003-mm2, 0.35-V, 82-pJ/conversion ultra-low power CMOS all digital temperature sensor for on-die thermal management
A 0.003-mm2, 0.35-V, 82-pJ/conversion ultra-low power CMOS all digital temperature sensor for on-die thermal management
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.003-mm2, 0.35-V, 82-pJ/conversion ultra-low power CMOS all digital temperature sensor for on-die thermal management

Kim, Yongtae ; Li, Peng

Analog integrated circuits and signal processing, 2013-04, Vol.75 (1), p.147-156 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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8
A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS
A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS
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A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS

Zhang, Yuejun ; Zhang, Haiming ; Wang, Pengjun ; Wu, Qiufeng ; Li, Gang

Integration (Amsterdam), 2021-05, Vol.78, p.135-143 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
A 0.0046-mm2 Two-Step Incremental Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Neuronal Recording Front End With 120-mVpp Offset Compensation
A 0.0046-mm2 Two-Step Incremental Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Neuronal Recording Front End With 120-mVpp Offset Compensation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0046-mm2 Two-Step Incremental Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Neuronal Recording Front End With 120-mVpp Offset Compensation

Wendler, Daniel ; De Dorigo, Daniel ; Amayreh, Mohammad ; Bleitner, Alexander ; Marx, Maximilian ; Willaredt, Roman ; Manoli, Yiannos

IEEE journal of solid-state circuits, 2023-02, Vol.58 (2), p.439-450 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
A 0.006 mm2 1.2 [Formula Omitted]W Analog-to-Time Converter for Asynchronous Bio-Sensors
A 0.006 mm2 1.2 [Formula Omitted]W Analog-to-Time Converter for Asynchronous Bio-Sensors
Material Type:
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A 0.006 mm2 1.2 [Formula Omitted]W Analog-to-Time Converter for Asynchronous Bio-Sensors

Leene, Lieuwe B ; Constandinou, Timothy G

IEEE journal of solid-state circuits, 2018-01, Vol.53 (9), p.2604 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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