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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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2
(0001) Interfaces between M2O3 corundum oxides (M = Al, Ti, V, Cr, Fe)
(0001) Interfaces between M2O3 corundum oxides (M = Al, Ti, V, Cr, Fe)
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(0001) Interfaces between M2O3 corundum oxides (M = Al, Ti, V, Cr, Fe)

Le, H.-L.T. ; Goniakowski, J. ; Noguera, C.

Surface science, 2019-01, Vol.679, p.17-23 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
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(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes

Tengeler, Sven ; Kaiser, Bernhard ; Chaussende, Didier ; Jaegermann, Wolfram

Applied surface science, 2017-04, Vol.400, p.6-13 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
(001) FACETING AND BI2SR2CUO6+X(TC=7-22-K) PHASE FORMATION AT THE AG/BI-SR-CA-CU-O INTERFACE IN AG-CLAD BI2SR2CACU2O8+X(TC=75-95-K) SUPERCONDUCTING TAPES
(001) FACETING AND BI2SR2CUO6+X(TC=7-22-K) PHASE FORMATION AT THE AG/BI-SR-CA-CU-O INTERFACE IN AG-CLAD BI2SR2CACU2O8+X(TC=75-95-K) SUPERCONDUCTING TAPES
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(001) FACETING AND BI2SR2CUO6+X(TC=7-22-K) PHASE FORMATION AT THE AG/BI-SR-CA-CU-O INTERFACE IN AG-CLAD BI2SR2CACU2O8+X(TC=75-95-K) SUPERCONDUCTING TAPES

FENG, Y ; LARBALESTIER, DC ; BABCOCK, SE ; VANDERSANDE, JB

Applied physics letters, 1992-09, Vol.61 (10), p.1234-1236 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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5
(001)-oriented lead selenide films grown on silicon substrates
(001)-oriented lead selenide films grown on silicon substrates
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(001)-oriented lead selenide films grown on silicon substrates

Tetyorkin, V.V. ; Sipatov, A.Yu ; Sizov, F.F. ; Fedorenko, A.I. ; Fedorov, A.

Infrared physics & technology, 1996-04, Vol.37 (3), p.379-384 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures
(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures
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(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures

Schmidt, W.G. ; Bernholc, J. ; Bechstedt, F.

Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.179-184 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
(001) textured L1{sub 0}-FePt pseudo spin valve with TiN spacer
(001) textured L1{sub 0}-FePt pseudo spin valve with TiN spacer
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(001) textured L1{sub 0}-FePt pseudo spin valve with TiN spacer

Ho, P. ; Han, G. C. ; He, K. H. ; Chow, G. M. ; Chen, J. S.

Applied physics letters, 2011-12, Vol.99 (25) [Periódico revisado por pares]

United States

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8
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
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(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure

SUN, L ; CHEN, Y.-F ; YU, T ; MING, N.-B ; DING, D.-S ; LU, Z.-H

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-10, Vol.63 (4), p.381-384 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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9
(01 n)-oriented BiSrCaCuO thin films formed on CeO2 buffer layers
(01 n)-oriented BiSrCaCuO thin films formed on CeO2 buffer layers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(01 n)-oriented BiSrCaCuO thin films formed on CeO2 buffer layers

TANIMURA, J ; KURODA, K ; KATAOKA, M ; WADA, O ; TAKAMI, T ; KOJIMA, K ; OGAMA, T

Japanese journal of applied physics, 1993-02, Vol.32 (2B), p.L254-L256 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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10
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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