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1
Atomic diffusion in semicondutor structures
Atomic diffusion in semicondutor structures
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Atomic diffusion in semicondutor structures

Gasan Mamed Bagir Ogly Abdullaev T D Dzhafarov; S Torstveit

Chur Harwood 1987

Localização: IQSC - Inst. Química de São Carlos    (537.622 A32a )(Acessar)

2
Two-dimensional quantum mechanical simulation of charge distribution in silicon MOSFETs
Two-dimensional quantum mechanical simulation of charge distribution in silicon MOSFETs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Two-dimensional quantum mechanical simulation of charge distribution in silicon MOSFETs

Abramo, A. ; Cardin, A. ; Selmi, L. ; Sangiorgi, E.

IEEE transactions on electron devices, 2000-10, Vol.47 (10), p.1858-1863 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Citações Citado por
3
Semiconducting II-VI, IV-VI, and V-VI compounds
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconducting II-VI, IV-VI, and V-VI compounds

N. Kh Abrikosov (Nikolaæi Khrisanfovich)

New York Plenum Press 1969

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (621.3.032 Se52 ) e outros locais(Acessar)

4
In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots
In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots

Ziad Y. AbuWaar Euclydes Marega Júnior; M Mortazavi; G. J Salamo

Nanotechnology Bristol v. 19, n. 33, p. 335712-1-335712-4, Aug. 2008

Bristol 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD014947 )(Acessar)

5
In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots
In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

In situ photoluminescence study of uncapped in As/GaAs quantum dots

Ziad Y. AbuWaar Euclydes Marega Júnior; M Mortazavi; G. J Salamo

Nanotechnology Bristol v. 19, n. 33, p. 335712-1-335712-4, Aug. 2008

Bristol 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD014947 )(Acessar)

6
Physical properties of III-V semiconductor compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP
Physical properties of III-V semiconductor compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Physical properties of III-V semiconductor compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

Adachi, Sadao

New York John Wiley c1992

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (537.622 A191p )(Acessar)

7
Properties of aluminium gallium arsenide
Properties of aluminium gallium arsenide
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Properties of aluminium gallium arsenide

Adachi, Sadao

London Inspec 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (621.38152 A191p )(Acessar)

8
GaAs and related materials : bulk semiconducting and superlattice properties
GaAs and related materials : bulk semiconducting and superlattice properties
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

GaAs and related materials : bulk semiconducting and superlattice properties

Sadao. Adachi

Singapore u.a. : World Scientific 1999

Localização: IF - Instituto de Física    (537.6223 A191g )(Acessar)

9
Semiconductor lasers for long-wavelength optical-fibre communications systems
Semiconductor lasers for long-wavelength optical-fibre communications systems
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconductor lasers for long-wavelength optical-fibre communications systems

M. J Adams; Institution of Electrical Engineers

London, U.K. P. Peregrinus on behalf of the Institution of Electrical Engineers c1987

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (621.3.032 Se52L )(Acessar)

10
ISP introduction to semiconductor physics
ISP introduction to semiconductor physics
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

ISP introduction to semiconductor physics

R.B. Adler Longini, R.L.

New York John Wiley 1962

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 A237i 1962-63 )(Acessar)

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  2. 1964Até1978  (231)
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