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0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers
0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers
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0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers

Lai, R. ; Huang, P. ; Grundbacher, R. ; Farkas, D. ; Cavus, A. ; Liu, P.H. ; Chin, P. ; Chou, Y.C. ; Barsky, M. ; Tsai, R. ; Raja, R. ; Oki, A.

2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006, p.39-41

IEEE

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2
0.1 micron Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 micron Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
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0.1 micron Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R P ; Allen, S T ; Reddy, M ; Martin, S C ; Liu, J ; Muller, R E ; Rodwell, M J W

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

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3
0.1 Millennial temperature reconstruction and simulation for China basted on annually resolved multi-proxies and ECHO-G model
0.1 Millennial temperature reconstruction and simulation for China basted on annually resolved multi-proxies and ECHO-G model
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 Millennial temperature reconstruction and simulation for China basted on annually resolved multi-proxies and ECHO-G model

Tan, M ; Shao, X ; Liu, J

Geophysical research abstracts, 2007-04

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4
0.1 /spl mu/m InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs - a flight qualified technology
0.1 /spl mu/m InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs - a flight qualified technology
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0.1 /spl mu/m InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs - a flight qualified technology

Chou, Y.C. ; Leung, D. ; Lai, R. ; Grundbacher, R. ; Barsky, M. ; Kan, Q. ; Tsai, R. ; Eng, D. ; Wojtowicz, M. ; Block, T. ; Liu, P.H. ; Olson, S. ; Oki, A. ; Streit, D.C.

24th Annual Technical Digest Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposiu, 2002, p.77-80

IEEE

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0.1 /spl mu/m Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 /spl mu/m Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 /spl mu/m Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

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6
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm Schottky-collector AlAs/GaAs resonant tunneling diodes

Smith, R.P. ; Alien, S.T. ; Reddy, M. ; Martin, S.C. ; Liu, J. ; Muller, R.E. ; Rodwell, M.J.W.

IEEE electron device letters, 1994-08, Vol.15 (8), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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8
0.10 mu m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHzf(T) and 340 GHz f(max)
0.10 mu m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHzf(T) and 340 GHz f(max)
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 mu m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHzf(T) and 340 GHz f(max)

Wojtowicz, M ; Lai, R ; Streit, D C ; Ng, G I ; Block, T R ; Tan, K L ; Liu, P H ; Freudenthal, A K ; Dia, R M

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

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9
0.10 /spl mu/m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz f/sub T/ and 340 GHz f/sub max
0.10 /spl mu/m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz f/sub T/ and 340 GHz f/sub max
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 /spl mu/m graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz f/sub T/ and 340 GHz f/sub max

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

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0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Autor/Criador 

  1. Liu, Y  (62)
  2. Liu, D  (59)
  3. Liu, F  (55)
  4. Liu, J  (53)
  5. Delfim Netto, A  (49)
  6. Liu, M  (47)
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  10. Liu, W  (32)
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  12. Liu, S  (27)
  13. Liu, X  (24)
  14. Liu, Z  (22)
  15. Wang, Y  (21)
  16. Babinski, M  (20)
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  18. Liu, Q  (19)
  19. Liu, H  (19)
  20. Liu, A  (19)
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Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1962  (71)
  2. 1962Até1976  (468)
  3. 1977Até1991  (5.205)
  4. 1992Até2007  (67.681)
  5. Após 2007  (157.998)
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Idioma 

  1. Inglês  (227.643)
  2. Japonês  (26.877)
  3. Chinês  (2.004)
  4. Francês  (739)
  5. Alemão  (371)
  6. Português  (213)
  7. Norueguês  (203)
  8. Russo  (157)
  9. Coreano  (132)
  10. Espanhol  (46)
  11. Tcheco  (18)
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  14. Polonês  (11)
  15. Italiano  (10)
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Deste Autor:

  1. Liu, Y
  2. Liu, D
  3. Liu, F
  4. Liu, J
  5. Delfim Netto, A

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Life Sciences & Biomedicine
  3. Physical Sciences
  4. Humans
  5. Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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