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1
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-19

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Sofrimentos psíquicos na ascensão social: da ruptura do contrato narcísico à busca por reconhecimento no metaenquadre sociocultural brasileiro
Sofrimentos psíquicos na ascensão social: da ruptura do contrato narcísico à busca por reconhecimento no metaenquadre sociocultural brasileiro
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Sofrimentos psíquicos na ascensão social: da ruptura do contrato narcísico à busca por reconhecimento no metaenquadre sociocultural brasileiro

Nicoletti, Taís De Oliveira

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Psicologia 2019-06-28

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Ascensão social e ruptura do contrato narcísico a escuta na clínica social como lugar de manutenção da existência
Ascensão social e ruptura do contrato narcísico a escuta na clínica social como lugar de manutenção da existência
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ascensão social e ruptura do contrato narcísico a escuta na clínica social como lugar de manutenção da existência

Taís de Oliveira Nicoletti Marina Ferreira da Rosa Ribeiro

Rumos: anuário de psicanálise São Paulo v. 1, n. 1, p. 173-177, set. 2019

São Paulo 2019

Localização: IP - Instituto de Psicologia    (Periódico (AM= RMari/21) )(Acessar)

5
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices

Sara Dereste dos Santos Talitha Nicoletti; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 51-58, 2010

New Jersey 2010

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6
On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs
On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs

Sara Dereste dos Santos Talitha Nicoletti; João Antonio Martino 1959-; Marc Aoulaiche; Anabela Veloso; Malgorzata Jurczak; Eddy Simoen; Cor Claeys

IEEE Transactions on Electron Devices v. 60, n. 1, p. 444-450, Jan 2013

2013

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7
Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation
Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation

Talitha Nicoletti Sara Dereste dos Santos; João Antonio Martino 1959-; Marc Aoulaiche; Anabela Veloso; Cor Claeys; Eddy Simoen; Malgorzata Jurczak

Solid-State Electronics v. 91, p. 53-58, Jan 2014

2014

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8
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications

Karen Lucia Mayumi Sasaki Talitha Nicoletti; L M Almeida; Sara Dereste dos Santos; Albert Nissimoff; Marc Aoulaiche; João Antonio Martino 1959-

Solid-State Electronics v.97, p. 30-37, July 2014

2014

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9
Debt restructuring
Debt restructuring
Material Type:
Outros 		Adicionar ao Meu Espaço

Debt restructuring

Antônio Delfim Netto 1928-

S.l. s.n 19--

Localização: FEA - Fac. Econ. Adm. Contab. e Atuária  ACERVO DELFIM NETTO  (B12.24.39 )(Acessar)

10
Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs
Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of the Main Digital and Analog Parameters of Underlapped MuGFETs

João Antonio Martino 1959- Sara Dereste dos Santos; Talitha Nicoletti; Marc Aoulaiche; Eddy Simoen; Cor Claeys; Institut d'Électronique; European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (8. 2012 Montpellier, France)

EuroSoi 2012 VIII Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits Jan. 23-25, Montpellier, France : conference proceedings org. Institut d'Électronique

S.l Institut d'Électronique 2012

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Deste Autor:

  1. Nicoletti, M
  2. Nicoletti, T
  3. Pinto, T
  4. Martino, J
  5. Kato, E

Neste Assunto:

  1. Farmacologia
  2. Rotor
  3. Camundongos
  4. Cirurgia Bariátrica
  5. Microeletrônica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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