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0 KVV Auger emission versus resonant photoemission at the O K edge of high-Tc superconductors
0 KVV Auger emission versus resonant photoemission at the O K edge of high-Tc superconductors
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0 KVV Auger emission versus resonant photoemission at the O K edge of high-Tc superconductors

NYLEN, H ; QVARFORD, M ; ANDERSEN, J. N ; NYHOLM, R ; LINDAU, I ; KARLSSON, U. O ; MIKHEEVA, M. N ; LEONYUK, L ; CHIAIA, G ; TJERNBERG, O ; SÖDERHOLM, S ; ZAKHAROV, A. A ; LEANDERSSON, M ; NAZIN, V. G ; TSETLIN, M. B ; LEV, L

Physica. C, Superconductivity, 1998, Vol.300 (3-4), p.161-170 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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2
0−+ trigluon glueball and its implication for a recent BES observation
0−+ trigluon glueball and its implication for a recent BES observation
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0−+ trigluon glueball and its implication for a recent BES observation

Hao, Gang ; Qiao, Cong-Feng ; Zhang, Ailin

Physics letters. B, 2006-11, Vol.642 (1-2), p.53-61 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
0 ++ trigluonium sum rules
0 ++ trigluonium sum rules
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0 ++ trigluonium sum rules

Latorre, J.I. ; Narison, S. ; Paban, S.

Physics letters. B, 1987-06, Vol.191 (4), p.437-441 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0+ XTZ states from QCD spectral sum rules
0+ XTZ states from QCD spectral sum rules
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0+ XTZ states from QCD spectral sum rules

Albuquerque, R.M. ; Narison, S. ; Rabetiarivony, D.

Nuclear and particle physics proceedings, 2023-03, Vol.324-329, p.49-53 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
0( αs2) corrections to polarized heavy flavour production at Q2 ⪢ m2
0( αs2) corrections to polarized heavy flavour production at Q2 ⪢ m2
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0( αs2) corrections to polarized heavy flavour production at Q2 ⪢ m2

Buza, M. ; Matiounine, Y. ; Smith, J. ; van Neerven, W.L.

Nuclear physics. B, 1997-02, Vol.485 (1), p.420-456 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
[0001] composition modulations in Al 0.4 Ga 0.6 N layers grownby molecular beam epitaxy
[0001] composition modulations in Al 0.4 Ga 0.6 N layers grownby molecular beam epitaxy
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[0001] composition modulations in Al 0.4 Ga 0.6 N layers grownby molecular beam epitaxy

Wise, A. ; Nandivada, R. ; Strawbridge, B. ; Carpenter, R. ; Newman, N. ; Mahajan, S.

Applied physics letters, 2008-07, Vol.92 (26), p.261914-261914-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
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(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes

Tengeler, Sven ; Kaiser, Bernhard ; Chaussende, Didier ; Jaegermann, Wolfram

Applied surface science, 2017-04, Vol.400, p.6-13 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
(001) Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
(001) Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
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(001) Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy

Endo, K. ; Badica, P.

Crystal growth & design, 2009-01, Vol.9 (1), p.391-394 [Periódico revisado por pares]

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9
(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy
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(001) Bi2Sr2Ca2Cu3O10 Superconducting Thin Films on Substrates with Large Film−Substrate Lattice Mismatch and Different Film−Substrate Lattice Mismatch Anisotropy

Endo, K ; Badica, P

Crystal growth & design, 2009-01, Vol.9 (1), p.391-394 [Periódico revisado por pares]

Washington,DC: American Chemical Society

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10
0.8-V Supply Voltage Deep-Submicrometer Inversion-Mode [Formula Omitted] MOSFET
0.8-V Supply Voltage Deep-Submicrometer Inversion-Mode [Formula Omitted] MOSFET
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0.8-V Supply Voltage Deep-Submicrometer Inversion-Mode [Formula Omitted] MOSFET

Wu, Y.Q ; Wang, W.K ; Koybasi, O ; Zakharov, D.N ; Stach, E.A ; Nakahara, S ; Hwang, J ; Ye, P.D

IEEE electron device letters, 2009-07, Vol.30 (7), p.700 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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  2. Calogero, F
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  5. Fuchssteiner, B

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