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0°–360° bistable nematic liquid crystal display with large dΔn and high contrast
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0°–360° bistable nematic liquid crystal display with large dΔn and high contrast

Xie, Z. L. ; Zheng, C. Y. ; Xu, S. Y. ; Gao, H. J. ; Kwok, H. S.

Journal of applied physics, 2000-08, Vol.88 (4), p.1722-1725 [Periódico revisado por pares]

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2
0.025-inch vs 0.035-inch guide wires for wire-guidedcannulation during endoscopic retrograde cholangiopancreatography： A randomized study
0.025-inch vs 0.035-inch guide wires for wire-guidedcannulation during endoscopic retrograde cholangiopancreatography： A randomized study
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.025-inch vs 0.035-inch guide wires for wire-guidedcannulation during endoscopic retrograde cholangiopancreatography： A randomized study

世界胃肠病学杂志：英文版（电子版）, 2015 (30), p.9182-9188

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3
0.125% 8 ml/h v.s. 0.25% 8 ml/h of levobupivacaine in continuous paravertebral block for postoperative analgesia in video-assisted thoracoscopic surgery: a randomized, controlled, double-blind study
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.125% 8 ml/h v.s. 0.25% 8 ml/h of levobupivacaine in continuous paravertebral block for postoperative analgesia in video-assisted thoracoscopic surgery: a randomized, controlled, double-blind study

Kawase, Sayuri ; Horiuchi, Toshinori ; Nagahata, Toshihiro

Journal of anesthesia, 2023-02, Vol.37 (1), p.6-12 [Periódico revisado por pares]

Singapore: Springer Nature Singapore

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4
0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V
0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 /spl mu/m SBT-based embedded FeRAM operating at a low voltage of 1.1 V

Nagano, Y. ; Mikawa, T. ; Kutsunai, T. ; Hayashi, S. ; Nasu, T. ; Natsume, S. ; Tatsunari, T. ; Ito, T. ; Goto, S. ; Yano, H. ; Noma, A. ; Nagahashi, K. ; Miki, T. ; Sakagami, M. ; Izutsu, Y. ; Nakakuma, T. ; Hirano, H. ; Iwanari, S. ; Murakuki, Y. ; Yamaoka, K. ; Goho, Y. ; Judai, Y. ; Fujii, E. ; Sato, K.

2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407), 2003, p.171-172

IEEE

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5
0.1%C-2%Si-5%Mn超微細フェライト+オーステナイト鋼の短時間組織形成と力学的特性に及ぼす二相域焼鈍前組織の影響
0.1%C-2%Si-5%Mn超微細フェライト+オーステナイト鋼の短時間組織形成と力学的特性に及ぼす二相域焼鈍前組織の影響
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1%C-2%Si-5%Mn超微細フェライト+オーステナイト鋼の短時間組織形成と力学的特性に及ぼす二相域焼鈍前組織の影響

安達, 節展 ; 鳥塚, 史郎 ; 足立, 大樹 ; 伊東, 篤志

鉄と鋼, 2019, Vol.105(2), pp.197-206 [Periódico revisado por pares]

一般社団法人 日本鉄鋼協会

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6
0.1%卵白添加食餌による経口免疫療法は, 強制経口投与による治療と同等の症状緩和を誘導した
0.1%卵白添加食餌による経口免疫療法は, 強制経口投与による治療と同等の症状緩和を誘導した
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0.1%卵白添加食餌による経口免疫療法は, 強制経口投与による治療と同等の症状緩和を誘導した

松島麻鈴 ; 前田晃宏 ; 高橋享子

Nihon Eiyō, Shokuryō Gakkai shi, 2019, Vol.72 (1), p.3-12

日本栄養・食糧学会

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7
0.2-dB gain excursion AGC-EDFA with a high speed VOA for 100-channel add/drop equivalent operation
0.2-dB gain excursion AGC-EDFA with a high speed VOA for 100-channel add/drop equivalent operation
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2-dB gain excursion AGC-EDFA with a high speed VOA for 100-channel add/drop equivalent operation

Oikawa, Y. ; Sato, N. ; Ota, K. ; Petit, S. ; Shiga, N.

OFC/NFOEC, 2012, p.1-3

IEEE

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8
0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動
0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2 mass%炭素鋼における低温焼戻し脆性と脆性−延性遷移挙動

田中, 將己 ; 安井, 隼人 ; 東田, 賢二

鉄と鋼, 2016, Vol.102(6), pp.340-346 [Periódico revisado por pares]

一般社団法人 日本鉄鋼協会

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9
0.228 /spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies with bottle-shaped capacitor for 1 Gbit DRAMs
0.228 /spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies with bottle-shaped capacitor for 1 Gbit DRAMs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.228 /spl mu/m/sup 2/ trench cell technologies with bottle-shaped capacitor for 1 Gbit DRAMs

Ozaki, T. ; Noauchi, M. ; Habu, M. ; Aoki, H. ; Ishibashi, Y. ; Shino, T. ; Hamamoto, T. ; Takashima, D. ; Niiyama, H. ; Nakasugi, T. ; Shibata, T. ; Kato, Y. ; Nishimura, E. ; Hattori, K. ; Magoshi, T. ; Sato, S. ; Yamaguchi, H. ; Sugihara, K.

Proceedings of International Electron Devices Meeting, 1995, p.661-664

IEEE

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10
0.25-\mbox{$\mu$m}-Emitter InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Thin Ledge Structure
0.25-\mbox{$\mu$m}-Emitter InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Thin Ledge Structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.25-\mbox{$\mu$m}-Emitter InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Thin Ledge Structure

Kashio, Norihide ; Kurishima, Kenji ; Fukai, Yoshino K ; Ida, Minoru ; Yamahata, Shoji

Jpn J Appl Phys, 2010-04, Vol.49 (4), p.04DF02-04DF02-5 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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  4. 1990Até2006  (328.451)
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  1. Sato, K
  2. Basei, M
  3. Siga Júnior, O
  4. South American Symposium on Isotope Geology
  5. Sato, M

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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