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(0 0 1) Exchange-coupled FCC/L1 sub(0) FePt bilayers
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Wan, Jun ; Bonder, Michael J ; Huang, Yunhe ; Hadjipanayis, George C ; Ni, Chaoying

Journal of magnetism and magnetic materials, 2010-07, Vol.322 (13), p.1811-1815 [Periódico revisado por pares]

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2
(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites
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(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites

Tototzintle-Huitle, H. ; Baquero, R.

The Journal of physics and chemistry of solids, 2007, Vol.68 (1), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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3
(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers
(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers
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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers

Manios, E. ; Karanasos, V. ; Niarchos, D. ; Panagiotopoulos, I.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272, p.2169-2170 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium
0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium
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0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium

Oppen, G. V

Europhysics letters, 1990-01, Vol.11 (1), p.25-30 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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5
0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
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0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds

Jacquemin, Denis ; Duchemin, Ivan ; Blase, Xavier

Journal of chemical theory and computation, 2015-11, Vol.11 (11), p.5340-5359 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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6
0. 04 Hz relative optical-frequency stability in a 1. 5. mu. m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
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0. 04 Hz relative optical-frequency stability in a 1. 5. mu. m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser

Ishida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.

IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1:12

United States

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7
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
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0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties

Haneen Abass, Khalid ; Haidar Obaid, Noor

Journal of physics. Conference series, 2019-09, Vol.1294 (2), p.22005 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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8
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
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0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects

Nguyen, Nga T. H. ; Ukaegbu, Ikechi Augustine ; Sangirov, Jamshid ; Cho, Mu Hee ; Lee, Tae Woo ; Park, Hyo Hoon

Microwave and optical technology letters, 2013-10, Vol.55 (10), p.2484-2487 [Periódico revisado por pares]

New York: Blackwell Publishing Ltd

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9
0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
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0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

Japanese journal of applied physics, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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