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1
Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part I: Interface Potentials Analytical Model
Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part I: Interface Potentials Analytical Model
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part I: Interface Potentials Analytical Model

Poiroux, T. ; Rozeau, O. ; Scheer, P. ; Martinie, S. ; Jaud, M. A. ; Minondo, M. ; Juge, A. ; Barbe, J. C. ; Vinet, M.

IEEE transactions on electron devices, 2015-09, Vol.62 (9), p.2751-2759 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'

A C Notari M Minondo; B Schrappe; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Oscar Hipólito; Interdisciplinary Laser Science Conference (7. 1991 Monterey)

v.36, n.7 , p.2001, jul./aug. 1991 Bulletin of the American Physical Society

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000488 ) e outros locais(Acessar)

3
Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part II: DC and AC Model Description
Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part II: DC and AC Model Description
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies-Part II: DC and AC Model Description

Poiroux, Thierry ; Rozeau, O. ; Scheer, Patrick ; Martinie, Sebastien ; Jaud, Marie-Anne ; Minondo, M. ; Juge, Andre ; Barbe, J. C. ; Vinet, Maud

IEEE transactions on electron devices, 2015-09, Vol.62 (9), p.2760-2768 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Máximo Siu Li; P Basmaji; M Minondo; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001536 )(Acessar)

5
In vitro and in vivo confocal Raman study of human skin hydration: Assessment of a new moisturizing agent, pMPC
In vitro and in vivo confocal Raman study of human skin hydration: Assessment of a new moisturizing agent, pMPC
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In vitro and in vivo confocal Raman study of human skin hydration: Assessment of a new moisturizing agent, pMPC

Chrit, L. ; Bastien, P. ; Biatry, B. ; Simonnet, J.-T. ; Potter, A. ; Minondo, A. M. ; Flament, F. ; Bazin, R. ; Sockalingum, G. D. ; Leroy, F. ; Manfait, M. ; Hadjur, C.

Biopolymers, 2007-03, Vol.85 (4), p.359-369 [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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6
Ultrastructure of the Human Stratum corneum
Ultrastructure of the Human Stratum corneum
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultrastructure of the Human Stratum corneum

Corcuff, P. ; Fiat, F. ; Minondo, A.-M.

Skin pharmacology and applied skin physiology, 2001-01, Vol.14 (1), p.4-9 [Periódico revisado por pares]

Basel, Switzerland: S. Karger AG

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7
L’impact du leadership participatif sur la réduction de l’incertitude et la satisfaction des besoins psychologiques des conseillers de Pôle Emploi
L’impact du leadership participatif sur la réduction de l’incertitude et la satisfaction des besoins psychologiques des conseillers de Pôle Emploi
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

L’impact du leadership participatif sur la réduction de l’incertitude et la satisfaction des besoins psychologiques des conseillers de Pôle Emploi

Clain, A. ; De Oliveira, P. ; Minondo-Kaghad, B. ; Salès-Wuillemin, E.

Psychologie du travail et des organisations, 2021-06, Vol.27 (2), p.105-118 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Masson SAS

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8
DC and AC MOS transistor modelling in presence of high gate leakage and experimental validation
DC and AC MOS transistor modelling in presence of high gate leakage and experimental validation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

DC and AC MOS transistor modelling in presence of high gate leakage and experimental validation

Gilibert, F. ; Rideau, D. ; Bernardini, S. ; Scheer, P. ; Minondo, M. ; Roy, D. ; Gouget, G. ; Juge, A.

Solid-state electronics, 2004-04, Vol.48 (4), p.597-608 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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9
LDMOS modeling for analog and RF circuit design
LDMOS modeling for analog and RF circuit design
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

LDMOS modeling for analog and RF circuit design

Canepari, A. ; Bertrand, G. ; Giry, A. ; Minondo, M. ; Blanchet, F. ; Jaouen, H. ; Reynard, B. ; Jourdan, N. ; Chante, J.-P.

Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005, 2005, p.469-472

IEEE

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10
A comparative ultrastructural study of hydroxyacids induced desquamation
A comparative ultrastructural study of hydroxyacids induced desquamation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A comparative ultrastructural study of hydroxyacids induced desquamation

Corcuff, P ; Fiat, F ; Minondo, A-M ; Lévèque, J-L ; Rougier, A

EJD. European journal of dermatology, 2002-07, Vol.12 (4), p.XXXIX-XLIII [Periódico revisado por pares]

France

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Deste Autor:

  1. Basmaji, P
  2. Siu Li, M
  3. Minondo, M
  4. Notari, A
  5. Hipólito, O

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Social Sciences
  3. Business & Economics
  4. Economics
  5. Life Sciences & Biomedicine

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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